| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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PSMN1R0-30YLC,115 |
SC-100，SOT-669，4-LFPAK | NXP Semiconductors | 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923 询价QQ： |
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PSMN1R0-30YLC,115参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 包装数量：1500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.15 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.95V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：103.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6645pF @ 15V 功率 - 最大值：272W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形1442324 箱PB-1577 PMIC - 电压UC29431D 成角度，线性位置测HMC1512 Card EdgeESM08DRMD-S273 圆形MS3471L12-8PY 延时型H3Y-2AC200-23010S 薄膜电容器B32621A3223K 同轴，RFPL75C-307 Card EdgeGMC20DRTF-S13 |
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